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明显低于快速恢复二极管(一般1V左右)

2019-05-10 18:17

  多用于开关频率不高(1kHz以下)的整流电路中其反向恢复时间较长,一般在5s以上,这在开关频率不高时并不重要正向电流定额和反向电压定额可以达到很高,分别可达数千安和数千伏以上

  从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下,甚至达到20~30ns。

  分为PN结型结构和PIN结构两种。采用外延型PIN结构的的快速恢复外延二极管(Fast Recovery Epitaxial Diodes—FRED),其反向恢复时间比较短(可低于50ns),正向压降也很低(0.9V左右),但其反向耐压多在1200V以下。

  以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管称为肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode——SBD),简称为肖特基二极管20世纪80年代以来,由于工艺的发展得以在电力电子电路中广泛应用

  反向恢复时间很短(10~40ns)正向恢复过程中也不会有明显的电压过冲在反向耐压较低的情况下其正向压降也很小(一般0.5V左右),明显低于快速恢复二极管(一般1V左右)

  其开关损耗和正向导通损耗都比快速二极管还要小,效率高 肖特基二极管的弱点

  当反向耐压提高时其正向压降也会高得不能满足要求,因此多用于200V以下反向漏电流较大且对温度敏感,因此反向稳态损耗不能忽略,而且必须更严格地限制其工作温度.

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